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半导体器件与集成电路抗静电放电(ESD)设计

作者:不详 来源:gz.xue.net 更新日期:2008/7/26 19:32:06 阅读次数:
 
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  项目名称: 半导体器件与集成电路抗静电放电(ESD)设计
  价    格: 电话咨询 推出时间:常年滚动开班
  地    点: 广州市天河区东莞庄路110号
  关 键 字: 静电放电培训
  咨询电话: 020-86000743
 
    
课程大纲
第1 章  电子元器件抗ESD损伤的基本原理
1.1  静电的产生和来源
1.2  静电放电模式
1.3  静电放电失效
1.4  静电损伤的特点
第2章  CMOS电路抗ESD设计技术
2.1  CMOS电路ESD失效模式和机理
2.2  CMOS电路ESD可靠性设计策略
2.3  CMOS电路ESD设计辅助工具-TLP测试技术
2.4  CMOS电路ESD保护电路设计
第3章  电路系统的抗ESD设计
3.1 概述
3.2 电子设备ESD损伤途径及其保护电路设计
3.3 PCB的抗ESD设计
3.4 外接TVS管的ESD保护
第4章电子设备的静电防护设计措施
4.1 电子设备制造防静电技术要求
4.2 建立静电安全工作区
4.3 安全工作区的静电检测
4.4 全面的静电防护和设计
  收费标准:
  1000
本项目文字如有变化,以公司最新规定为准.
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  手 机: 13450353822 电 邮:nihao@foxmail.com
      

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